Страница 25 из 26

Re: Технологии

Добавлено: Сб апр 07, 2018 20:29
FENIMUS
Офигеть. Китайцы уже п*т нашу воду прямо из облаков..

https://www.dailytechinfo.org/eco/10135 ... etrov.html

Re: Технологии

Добавлено: Пн май 21, 2018 9:29
FENIMUS
наконецто вымучили правильный способ печати металлом, кинетический..
https://www.dailytechinfo.org/news/1022 ... bekty.html
http://www.titomic.com/titomic-kinetic-fusion.html
Изображение

Re: Технологии

Добавлено: Пн май 21, 2018 19:23
morozov
Это круто.

Когда я работал не заводе (примерно 1959) был там способ обцинковывания. Проволока расплавлялась и выплевывалась на деталь. При всем разнообразии технологий. Старики рассказывали, что копируя Дуглас не справились только с отливкой из "электрона" - протекла крыша и все разнесло....

Re: Технологии

Добавлено: Пн авг 13, 2018 9:02
FENIMUS
Созданы оптические нейронные сети в которых суммирование амплитуды происходит в волноводах.

https://www.dailytechinfo.org/infotech/ ... setey.html
https://phys.org/news/2018-07-chip-opti ... -demo.html

но не описано как решать проблему прокладки волновода в нужное место с пересечением других волноводов и разветвление волноводов..

Re: Технологии

Добавлено: Пн окт 01, 2018 22:27
morozov
Преимущества SiC и GaN в автомобильных приложениях
Электронные компоненты на базе широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), становятся все более доступными и популярными. Они все чаще применяются при создании высоковольтных и мощных приложений, в частности автомобильных силовых установок и инверторов. Однако для работы с новыми транзисторами необходимы специализированные драйверы, что требует пересмотра традиционных схемных решений. Еще одной проблемой становится создание новых корпусных исполнений, так как их сертификация для автомобильной отрасли представляет особую сложность.
25/09/2018

Автор: Марк Патрик Перевод: Гавриков Вячеслав (г. Смоленск)


Электронные компоненты на базе широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), становятся все более доступными и популярными. Они все чаще применяются при создании высоковольтных и мощных приложений, в частности автомобильных силовых установок и инверторов.

Эти устройства позволяют работать с высокими напряжениями (от 600 В до 1700 В), а также с высокими частотами коммутаций, что обеспечивает рост эффективности, уменьшение габаритных размеров и снижение массы силовых приложений, а это в свою очередь дополнительно повышает эффективность транспортного средства. Эффективность имеет огромное значение особенно для электромобилей (EV) и автомобилей с гибридной силовой установкой (HEV). Именно высокая эффективность гарантирует увеличение дальности автономной езды и позволяет разработчикам использовать малогабаритные аккумуляторы в небольших автомобилях.

Однако для работы с новыми транзисторами на базе широкозонных полупроводниковых материалов необходимы специализированные драйверы, что требует пересмотра традиционных схемных решений. Еще одной проблемой становится создание новых корпусных исполнений, так как их сертификация для автомобильной отрасли представляет особую сложность.

Преимуществами карбида кремния являются: высокая электрическая прочность, отличная теплопроводность и значительная диэлектрическая проницаемость (таблица 1). В результате SiC-устройства отличаются низким сопротивлением, минимальным током утечки в широком диапазоне температур и обычно работают лучше, чем кремниевые компоненты, особенно при повышенных температурах. Благодаря низкой скорости насыщения электронов в нитриде галлия, при использовании силовых GaN-компонентов удается обеспечивать высокую частоту коммутаций при минимальных потерях.

Таблица 1. Сравнение параметров кремния и широкозонных полупроводниковых материалов

Параметр Si GaN 4H-SiC

Ширина запрещенной зоны 1,1 эВ 3,4 эВ 3,3 эВ

Скорость насыщения 1x107 см/с 2,2x107 см/с 2x107 см/с

Диэлектрическая проницаемость 11,8 10 9,7

Электрическая прочность 300 кВ/см 2200 кВ/см 3000 кВ/см

Теплопроводность 1,5 Вт/см К 1,7 Вт/см К 5 Вт/см К
Переход к SiC


Ширина запрещенной зоны у карбида кремния составляет 3,3 эВ, что значительно больше, чем у кремния. Кроме того, по сравнению с кремнием электрическая прочность SiC оказывается выше в пять раз, а его теплопроводность больше в три раза. Высокая эффективность и другие преимущества стали основными причинами того, что SiC стал первым широкозонным полупроводниковым материалом, который «пробился» в автомобильную отрасль.

SiC-транзисторы характеризуются высокой температурной стабильностью времени переключения. В результате при проектировании силовых устройств разработчик может использовать меньший запас при расчете мертвого времени, а следовательно, достигать более высокой эффективности. Это делает SiC-компоненты идеальным выбором при создании мощных приложений, таких как инверторы в EV и HEV.

Надежность играет ключевую роль для автомобильных приложений, по этой причине диоды и МОП-транзисторы часто проходят сертификацию AEC-Q101. Примером таких сертифицированных компонентов является планарный диод Шоттки SCS220KGHR от компании ROHM Semiconductor. Этот диод выпускается в корпусном исполнении TO-220 и имеет рабочее напряжение 1200 В. Его полный заряд (Qc) составляет всего 65 нК, что гарантирует высокую скорость работы с минимальными динамическими потерями при переключениях. Диоды SCS215 с меньшим рабочим напряжением 650 В выпускаются в малогабаритном корпусе TO-263AB (SOT-23) и позволяют создавать компактные решения.
Изображение

Рис. 1. Уменьшение габаритов автомобильного инвертора на примере гоночной серии Formula E
В электромобилях Ford следующего поколения предполагается использовать мощный и недорогой инвертор на базе карбид-кремниевых МОП-транзисторов C3M0120090D с рабочим напряжением 900 В от компании Cree. Общая мощность силовой установки этого автомобиля достигает 88 кВт, а ориентировочная удельная стоимость мощности должна составить 8 долларов за кВт после начала массового производства в 2020 году. Также планируется значительно уменьшить массу автомобиля и достичь соотношения мощность-масса 1,4 кВт/кг.

Выбор SiC-транзисторов от компании Cree обусловлен их низким сопротивлением в открытом состоянии во всем диапазоне рабочих температур, а также способностью работы со значительной индуктивной нагрузкой, что, как ожидается, приведет к увеличению общей надежности в 10 раз. SiC МОП-транзисторы от Cree имеют сопротивление 10 мОм и обеспечивают лучшую эффективность при работе с небольшой нагрузкой на низких частотах, по сравнению с кремниевыми IGBT. В результате согласно расчетам потери мощности в инверторе окажутся ниже на 67%, чем у аналогов на кремниевых ключах. Сокращение уровня потерь позволит снизить размеры системы охлаждения, что значительно уменьшит размер и вес инвертора, а также сократит затраты на охлаждение.
Повышение мощности за счет применения GaN


Устройства, использующие GaN-компоненты, способны обеспечивать КПД до 97%. Это оказывается возможным благодаря значительной ширине запрещенной зоны 3,4 эВ и высокой подвижности электронов, которая превышает аналогичный показатель для SiC. GaN-транзисторы в первую очередь были востребованы в ВЧ-приложениях из-за их высокой эффективности при работе на повышенных частотах. Однако в последнее время GaN-ключи находят применение в силовых приложениях, в первую очередь в автомобильной отрасли.

Сравнение кремниевых и GaN-устройств показывает, что они имеют сравнимые потери проводимости, но характеристики переключений для GaN оказываются значительно лучше. GaN-устройства, сертифицированные для автомобильных приложений, используют нитрид-галлиевые ключи с улучшенной структурой («enhancement mode»), что позволяет им достигать КПД до 98%.

Одним из примеров использования улучшенной структуры являются транзисторы серии GS6650x с рабочим напряжением 650В GaN от GaN Systems. GS6650x производятся по улучшенной технологии GaN-на-кремнии (enhancement mode GaN-on-silicon) с запатентованной компоновкой ячеек, которая обеспечивает повышенную плотность тока. В результате эти транзисторы имеют более высокие рабочие токи, по сравнению с карбидом кремния и кремнием, и способны работать на частотах, превышающих 100 МГц. Помимо отличных электрических характеристик, конструкция этих силовых ключей обеспечивает лучшие тепловые показатели. Отвод тепла через нижнюю часть корпуса гарантирует низкое тепловое сопротивление кристалл-корпус и позволяет легко охлаждать силовой ключ, что крайне важно для мощных автомобильных инверторов. GaNPX – запатентованное корпусное исполнение, созданное для уменьшения габаритных размеров (5,0 мм х 6,6 мм), снижения паразитной индуктивности и улучшения характеристик теплоотвода. В настоящее время компании ROHM и GaN Systems наладили сотрудничество, и используют технологию GaNPX в транзисторах следующего поколения. Это в очередной раз демонстрирует важность применения современных корпусных исполнений.

Qromis – американская стартап-компания, которая использует свою технологию изготовления подложек QST при разработке референсных силовых GaN-компонентов. Данная технология позволяет создавать эпитаксиальные слои нитрида-галлия большой толщины на 200-миллиметровых кремниевых пластинах. Получаемый при этом низкий уровень дефектов решает проблему надежности и массового производства. Тем не менее, возникают некоторые трудности при переходе в автомобильный сегмент.

Электромобили предполагают работу с номинальными напряжениями более 650 В. По этой причине структура транзистора должна использовать эпитаксиальный слой большой толщины. Поскольку GaN, AlGaN и кремний имеют разные коэффициенты теплового расширения, то увеличение толщины эпитаксиального слоя затруднено, а значит, сложно обеспечить высокие значения напряжения пробоя и низкие токи утечки. Вариантом решения данной задачи и достижения рабочих напряжений 900..1200 В является использование кремниевых подложек большой толщины, что поможет предотвратить деформацию. Однако при этом возникают другие трудности, связанные с совместимостью оборудования, применяемого для обработки полупроводниковых пластин.

Использование технологий IMEC и Qromis. 200-миллиметровая пластина с GaN-устройствами, созданными на традиционном оборудовании для кремниевых полупроводников
Изображение
Рис. 2. Использование технологий IMEC и Qromis. 200-миллиметровая пластина с GaN-устройствами, созданными на традиционном оборудовании для кремниевых полупроводников
После решения проблемы изготовления кремниевых подложек большой толщины, возможно создание устройств с горизонтальной и вертикальной архитектурой, монолитных и высоковольтных ИС. Для достижения этой цели компания Qromis работала совместно с исследовательским институтом микроэлектроники IMEC в Бельгии. Вместе они создали p-GaN-транзисторы с улучшенной структурой на традиционном оборудовании для кремниевых полупроводников. Инженеры IMEC реализовали свою технологию мощных p-GaN-транзисторов на 200-миллиметровых подложках QST. В результате были получены высокопроизводительные силовые устройства с пороговым напряжением 2,8 В.

Тепловое расширение подложек QST очень близко к показателям расширения GaN/ AlGan. Благодаря этому, удалось использовать стандартные 200-миллиметровые пластины для изготовления силовых компонентов с рабочим напряжением 900 до 1200 В. На подложки QST можно наносить эпитаксиальные слои толщиной более 100 микрон, что позволяет производить диоды и ключи с вертикальной архитектурой, которые могут использоваться в приложениях с высокими уровнями напряжений и токов. Такое решение создает реальную конкуренцию кремниевым IGBT, силовым SiC МОП-транзисторам и диодами, и устраняет значительный барьер для широкого внедрения GaN. Поскольку в Qromis используют систему AIX G5 + C от Aixtron, то подложки QST совместимы с традиционными подложками, что решает проблемы с обработкой.
GaN, AlN и светодиоды
Стоит отметить, что сфера применения широкозонных полупроводниковых материалов не ограничивается только силовыми приложениями. Например, благодаря значительной ширине запрещенной зоны более 6 эВ нитрид алюминия (AlN) используется совместно с GaN для создания светодиодов. Комбинированная технология подходит для фар и других осветительных приборов, в том числе для освещения салона, и позволяет создавать светодиоды с ультрафиолетовым излучением 250 нм.

Нитрид бора (BN) - это еще один широкозонный материал, который находит применение в силовой автомобильной электронике. Кроме того, он используется в качестве присадки при производстве пластика для уменьшения теплового расширения, увеличения теплопроводности и повышения электрической прочности.
Заключение
Автомобильные SiC-диоды и МОП-транзисторы перестают быть экзотикой и становятся нормой для автомобильной отрасли, где они позволяют значительно снизить потери мощности и повысить эффективность. Новые GaN-транзисторы с улучшенной архитектурой обеспечивают очень высокое быстродействие и КПД до 98%.

Дальнейшее развитие технологий изготовления полупроводниковых подложек и совершенствование производственных процессов сделает возможным появление новых типов устройств с вертикальной и горизонтальной архитектурой. Однако для этого придется решить задачи, связанные с корпусированием кристаллов и их сертификацией.

Re: Технологии

Добавлено: Пн дек 10, 2018 13:16
morozov
контроля уровня заряда
05/12/2018
766

Автор: Бакул Дамле, Назарено Роззети Перевод: Гавриков Вячеслав (г. Смоленск)


Долгое время создание систем контроля заряда аккумуляторов, точно так же как и разработка военных радаров и сверхзвуковых самолетов, представляла собой сложную технологию, недоступную для рядовых инженеров, у которых не было в распоряжении специализированного оборудования или существенного бюджета. Однако сейчас все изменилось.

Контроль заряда аккумулятора становится одной из важнейших задач при построении устройств с батарейным питанием. Это касается как мобильной электроники, так и IoT-приложений. При этом качество и точность математической модели заряда-разряда напрямую определяет эффективность использования аккумулятора. Создание точной математической модели для конкретного аккумулятора оказывается очень трудоемким и дорогим процессом. Фактически, только самые крупные производители обладают ресурсами для разработки таких моделей.

Отсутствие доступа к точным моделям аккумуляторов становится огромным препятствием для распространения портативных устройств. В этой статье рассказывается о революционном подходе, позволяющем решать данную проблему, и создавать эффективные и недорогие системы контроля уровня заряда аккумуляторов.
Контроль уровня заряда аккумулятора для избранных

Генерация энергии в аккумуляторе представляет собой не что иное, как миниатюрный и контролируемый взрыв. Объем энергии, запасенной в батарее, зависит от емкости и температуры. По этой причине при построении модели очень важно учитывать влияние параметров окружающей среды. Как только модель аккумулятора получена, ее загружают в специализированную микросхему. Использование точной модели гарантирует предсказуемость, а также безопасность заряда и разряда аккумулятора.
Изображение
Рис. 1. Для создания эффективной математической модели, точно предсказывающей уровень заряда аккумулятора и обеспечивающей минимальную погрешность, требуется много времени и средств
Поставщики микросхем традиционно ориентированы на большие объемы производства, так как для разработки математической модели аккумулятора требуется несколько недель кропотливой исследовательской работы в лабораторных условиях. Только в результате этой трудоемкой, индивидуальной работы удается получить модель, гарантирующую эффективное использование аккумуляторов, минимальную погрешность измерения состояния заряда (state-of-charge, SOC) и точное распознавание приближения момента полного разряда (рис. 1).
Контроль уровня заряда аккумулятора для многих

Изучив характеристики множества литиевых батарей, вполне реально разработать универсальную модель, описывающую поведение различных аккумуляторов. Такую модель можно дополнительно настроить для конкретного приложения и «загрузить» в зарядную микросхему. Настройка моделей производится разработчиками самостоятельно с помощью специального ПО, которое обычно входит в состав отладочных наборов. Перед тем как приступить к настройке, разработчик должен ответить на три вопроса:

Какова емкость аккумулятора (часто указывается на этикетке или в документации на аккумулятор)?
Каково напряжение полного разряда (зависит от приложения)?
Будет ли напряжение заряда выше 4,275 В (на ячейку, в случае нескольких последовательно включенных ячеек)?

При таком подходе исследовательская работа по созданию математической модели уже выполнена производителем, и разработчику конечного оборудования не нужно об этом заботиться. Предполагая, что бюджет системной ошибки при прогнозировании SOC составляет 3%, модель должна вписываться в 97% тестовых испытаний.

Кроме того, модель должна иметь возможность адаптации под конкретные особенности аккумулятора, чтобы еще больше повысить эффективность его использования. Один из таких механизмов адаптации гарантирует, что показания датчика заряда будут приближаться к 0%, когда напряжение аккумуляторной ячейки в действительности приближается к состоянию полного разряда.

Для многих пользователей недостаточно определить SOC или оставшуюся емкость (в мА·ч). В действительности им требуется знать, сколько времени гаджет проработает без подзарядки. С другой стороны, если просто поделить остаток заряда на текущую или усредненную нагрузку, то результат может быть не слишком точным. Используемая адаптивная модель должна обеспечивать точную оценку оставшегося времени работы на основе параметров батареи, температуры и нагрузки, а также с учетом уровня напряжения полного разряда.

Преимущества предлагаемого подхода очевидны. Крупные производители могут использовать исходную «базовую» модель в качестве отправной точки для того, чтобы начать разработку еще до выбора конкретного типа аккумуляторов. При этом переход к оптимизированной лабораторной модели потребуется только на завершающих стадиях разработки. Небольшие и мелкие производители будут без особых проблем использовать базовую модель в серийной продукции, зная, что она обеспечит совместимость и хорошие результаты с большинством типовых аккумуляторов.

Описываемый подход используется в датчиках заряда ModelGauge m5 EZ от компании Maxim Integrated.
Контроль уровня заряда аккумулятора для всех

Для популяризации предложенной идеи и упрощения разработки систем с аккумуляторным питанием было решено создать отладочную плату, совместимую с платформой Arduino (рис. 2). MAXREFDES96 IoT Power Supply – отладочная плата в форм-факторе Arduino, с питанием от литий-ионного аккумулятора емкостью 660 мА·ч (рис. 3). На плате используется высокоинтегрированная микросхема зарядного устройства MAX77818 и микросхема контроля заряда ModelGauge m5 EZ от компании Maxim Integrated. В схеме также присутствуют и другие ИС, которые обеспечивают дополнительные функции системы управления и системы питания.
Изображение

Рис. 2. MAXREFDES96 предполагает обмен данными по I2C

Изображение

Рис. 3. Отладочная плата MAXREFDES96 имеет совместимость с Arduino Uno R3 и обеспечивает функции управления и контроля заряда аккумулятора
Технологии Maxim Integrated повышают скорость и эффективность заряда, а также гарантируют точность измерения уровня SOC, что позволяет оптимально использовать аккумуляторы. Плата MAXREFDES96# может питаться от разных источников: от USB-порта, от стека Arduino или от внешнего источника питания через собственный разъем, расположенный на плате. Кроме того, на плате размещен держатель литий-ионных аккумуляторов, который допускает использование аккумуляторов от разных производителей. Бесплатная прошивка поддерживает работу с платами Arduino и платами mbed.org.

При работе с MAXREFDES96 модель аккумулятора может быть непосредственно сохранена в энергонезависимой памяти MAX17201 или в памяти Arduino. В последнем случае модель должна загружаться при включении питания. При этом на плате Arduino может храниться несколько моделей, что позволяет использовать различные батареи.

Универсальные платы Arduino могут применяться в различных приложениях широким кругом пользователей, включая любителей и энтузиастов. Система, построенная на базе MAXREFDES96, оказывается чрезвычайно мобильной. Она может быть быстро развернута для сбора данных или для выполнения тестирования; а также применяться в качестве резервной системы управления при критических отказах оборудования. Во всех случаях MAXREFDES96 обеспечивает максимально эффективную работу с аккумуляторами, в том числе быстрый заряд и точный контроль SOC.
Заключение

В статье было объяснено, почему при измерении уровня разряда аккумулятора (SOC) важно использовать точную математическую модель. Также были рассмотрены проблемы, связанные с созданием лабораторных моделей, особенно в мелкосерийных проектах. Новая отладочная плата MAXREFDES96 Arduino, использующая алгоритм EZ ModelGauge m5 от Maxim Integrated, помогает упростить процесс разработки и снизить стоимость реализации систем с аккумуляторным питанием, что делает подобные системы доступными для всех.

Re: Технологии

Добавлено: Пн дек 10, 2018 21:59
venjuu
В России грядет отказ от аналогового ТВ: по всей стране не позже 3 июня, как обещают. В качестве формата цифрового вещания в России используется стандартная чёткость (SDTV) - всего 20 каналов на 2-х частотах...

Re: Технологии

Добавлено: Вт ноя 26, 2019 16:31
morozov
Изображение

Re: Технологии

Добавлено: Сб дек 14, 2019 0:16
morozov
ГЕНЕРАТОР ВОДОРОДА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ В СОСТАВЕ АВТОНОМНОГО КОМПЛЕКСА СВОБОДНОЙ ЭНЕРГЕТИКИ

Автор: Заборонский Вячеслав Анатольевич,
академик Международной Академии энергетических инверсий имени П.К.Ощепкова
e-mail: newen@yandex.ru
Разработана высокоэффективная электролитическая установка – ГЕНЕРАТОР ВОДОРОДА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ.
ГЕНЕРАТОР ВОДОРОДА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ входит в состав АВТОНОМНОГО КОМПЛЕКСА СВОБОДНОЙ ЭНЕРГЕТИКИ, включающего в себя солнечные батареи, ветроэлектрогенераторы и прочие автономные источники электроэнергии и служит для аккумулирования с целью дальнейшего использования генерируемой этими источниками энергии в виде водорода при высоком давлении.
Производимый водород направляется в баллоны, где может храниться неограниченное время и расходоваться по мере необходимости.

ВВЕДЕНИЕ
Современная цивилизация охвачена энергетическими, ресурсными и информационными сетями: нефтепроводы, газопроводы, ЛЭП, теплотрассы, сети холодного и горячего водоснабжения, телефонные сети, оптоволоконные сети…
Да, это удобно.
Да, мы сами добровольно подключаемся к этим сетям.
Но за это удобство мы платим свободой и безопасностью.
Теперь мы зависим от владельцев сетей, покупая них природные ресурсы.
И это ещё не всё. Сложившаяся ситуация имеет ещё один важный негативный аспект, о котором не принято говорить.
Получая жизненно необходимые ресурсы безальтернативно через сети, мы стали чрезвычайно уязвимыми. Ведь даже от локального повреждения вся сеть, подобно ёлочной гирлянде, перестанет работать. Разрушение сетей в результате природных или техногенных аварий и катастроф, военных действий или терроризма может привести к гибели огромного количества людей.
Нетрудно представить себе, например, к каким последствиям приведёт отключение мегаполиса в лютый мороз от источников тепла и электричества.
В этом отношении мы живём в гораздо более опасном мире, чем предыдущие поколения людей «досетевой цивилизации».
Наличие «энергетической альтернативы» может стать критическим фактором нашего выживания.
Свободная энергетика – это не только чистые воздух, реки, океаны, цветущая планета, но и шаг к независимости и безопасности.
Копия Сборник1.doc

Re: Технологии

Добавлено: Пт дек 20, 2019 11:33
morozov
Ryzen Threadripper 1900X неожиданно стал самым дешёвым восьмиядерным процессором на рынке
Среди актуальных
Изображение
Летом 2017 году компания AMD представила процессоры Ryzen Threadripper первого поколения. Эти CPU стали первенцами AMD в классе HEDT, и сразу показали своё превосходство.
Ryzen Threadripper 1900X неожиданно стал самым дешёвым восьмиядерным процессором на рынке

Младшая восьмиядерная модель Threadripper 1900X тогда оценивалась в 550 долларов. Теперь же этот CPU можно приобрести в разы дешевле. На данный момент цены стартуют примерно со 140 долларов, но уже появились предложения за 120 долларов. Это 4,5 раза дешевле, чем на старте!

Более того, если говорить об актуальных потребительских моделях, Threadripper 1900X — самый дешёвый восьмиядерный процессор на рынке. Конечно, для него нужна не самая доступная системная плата, но это уже другой вопрос.

Re: Технологии

Добавлено: Пн дек 23, 2019 3:55
morozov
Ученые нашли более дешевый способ производства водорода


Исследователи обнаружили, что железоникелевый электрод способствует расщеплению воды также эффективно, как и катализаторы из драгоценных металлов, таких как платина, иридий и рутений.

Для электролиза воды используют два электрода, через которые проходит электрический заряд, разделяющий молекулы водорода и кислорода. Поскольку многие страны начали переходить на возобновляемые источники энергии, то себестоимость производства Н2 становится важным экономическим фактором. Однако в настоящее время для стимулирования разделения молекул обычно используют редкие и дорогие металлы из-за их высокой эффективности.

Группа ученых из Университета Нового Южного Уэльса, Университета Гриффита и Технологического университета Суинберна показала, что использование в качестве катализаторов недорогих металлов, таких как железо и никель, позволяет также хорошо ускорить химическую реакцию и сократить расход электроэнергии.

По их словам, сами по себе эти металлы не являются хорошими катализаторами для выработки водорода, но на границе их раздела, расщепление происходит с рекордной скоростью. Наноразмерный интерфейс в корне меняет их свойства, делая электрод таким же активным, как платиновый.

Поскольку железо и никель в тысячи раз дешевле традиционных катализаторов, то их использование позволяет не только экономить редкие ресурсы, но и снизить стоимость производства водорода.

Исследованиями в этом направлении сейчас занимаются многие ученые и недавно была разработана новая технология производства водорода с КПД 98,7%.
https://bitcryptonews.ru/news/tech/nova ... kpd-do-987

Re: Технологии

Добавлено: Пн дек 23, 2019 17:33
morozov
Уникальные технологии разработчика

КАКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ ДЕЙСТВИТЕЛЬНО ИМЕЮТ СМЫСЛ?

Диоды относят к числу наиболее простых полупроводниковых компонентов. Даже документация для них выглядит просто. Тем не менее, во многих крупносерийных устройствах диоды подвергаются сильным нагрузкам: работают при очень высоких температурах и при повышенных напряжениях. Чтобы свести к минимуму число отказов и достичь нулевого уровня брака, разработчики должны иметь хорошее представление о технологических процессах, программах испытаний и статистических исследованиях, применяемых при производстве диодов.
http://terraelectronica.link.sendsay.ru ... 50PUlCUg==

Re: Технологии

Добавлено: Ср дек 25, 2019 23:50
morozov
Невероятные Механизмы

У.Л. Эммет и ртутные электростанции из 1923-го


В 1914 году Уильям Лерой Эммет, инженер-исследователь компании General Electric, впервые предложил использовать для вращения колеса турбины пары ртути вместо водяного пара. Но ученые и инженеры того времени утверждали, что, хотя физические характеристики ртути (температура кипения, удельная теплоемкость и т. д.) делают идею теоретически возможной, существуют непреодолимые препятствия для ее реализации на практике.
https://avatars.mds.yandex.net/get-[img ... scale_1200[/img]
Ртутная турбина Эммета

Однако Эммет отказался слушать о проблемах и "невозможности" и построил экспериментальную установку. В дальнейшей работе ему помог Т.Г. Сорен, вице-президент Hartford Electric Company, настолько пораженный результатами первых испытаний Эммета, что заключил с ним сделку. И в 1923 году на электростанции Dutch Point была построена и запущена ​​экспериментальная ртутная установка мощностью 5000 лошадиных сил.
Изображение
Не обошлось без предсказываемых проблем: лопнула головка котла, и ценная ртуть «убежала», создав убыток на тысячи долларов. Турбинное колесо развалилось на части и вызвало остановку на несколько месяцев. Рабочие получили отравление испарениями ядовитой ртути. Но сильно никто не пострадал благодаря необычным мерам предосторожности, принятых компанией для защиты людей.
Изображение
После доработки и новых тестов, компания решила построить на своем заводе в Южном Луге ртутную установку уже реального коммерческого использования. South Meadow вырабатывал до 143 киловатт-часов электроэнергии на каждые 100 фунтов сжигаемого угля. Для сравнения: лучшая паровая электростанция того времени производила всего 112 киловатт-часов энергии из такого количества угля. Девяносто тонн - это вес жидкой ртути в котле завода South Meadow.
Изображение
Установка состояла из семи барабанов из кованой стали, каждый из которых содержал 440 теплообменных труб из низкоуглеродистой стали. Выступающие концы труб образовывали «шипованную» стенку камеры печи, в которой сжигался порошкообразный уголь.
Изображение
Жидкая ртуть кипела в этих трубах, пары перемещались по трубе к турбине, соединенной с электрическим генератором. После вращения колеса турбины пары ртути конденсировались и отдавали оставшееся тепло воде в котле, вырабатывая пар. Этот пар приводит в действие другой турбогенератор, и ртуть, снова в жидком виде, возвращается в котел через подогреватель, расположенный в камере печи. Ртуть просто циркулирует в системе, не теряясь и не расходуясь.
Изображение
Электростанции, спроектированные Уильямом Лерой Эмметом, были построены компанией General Electric и эксплуатировались между 1923 и 1950 годами. Крупные электростанции были в Хартфорде, штат Коннектикут, мощностью 1,8 МВт (в 1922 года, и 15 МВт в 1949 году). Генераторная станция в Керни , Нью-Джерси, ртутная турбина мощностью 20 МВт + пар мощностью 30 МВт, запущена в 1933 году. Еще одна в Портсмуте, Нью-Гэмпшир, 40 МВт. На сегодня подобных станций в работе не осталось.
https://avatars.mds.yandex.net/get-zen_ ... scale_1200
По материалам мартовского номера журнала «Popular Science» за 1931 год.

Re: Технологии

Добавлено: Чт дек 26, 2019 17:48
FENIMUS
на интерметаллидном натрий-ртутном или натрий-оловяном элементе (точно не помню), тоже делали какойто генератор.
При нагревании один металл испарялся из интерметаллида и его снова использовали в цикле вырабатывая электричество.

Re: Технологии

Добавлено: Чт дек 26, 2019 19:38
morozov
Натрий-калиевый теплоноситель используется в первом контуре реактора на быстрых нейтронах.

На атомных подлодках иногда используется свинец-висмутовый теплоноситель.